IPD60R600P7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R600P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPL60R060CFD7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD60R600P7ATMA1 | IPL60R060CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IPD60R600P7ATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ CFD7 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (SJ) / CoolMOS | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 6 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 490 mOhm (max) | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 30 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (TJ) | -40 °C to +150 °C |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Generation | CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 219 W |
| R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V | — | 60 mΩ |
| R_DS(on) (typ, datasheet) | — | 48 mΩ |
| Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V | — | 79 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 3193 pF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 62 pF |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 4.5 V |
| العلبة | — | PG-VSON-4-1 (Surface Mount) |