IPD60R600P7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R600P7ATMA1 מאת Infineon ו IPL60R060CFD7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R600P7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number IPD60R600P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ CFD7
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 6 A —
On-Resistance (RDS(on)) 490 mOhm (max) —
Power Dissipation (PD, TC) 30 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) -40 °C to +150 °C
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Generation CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) —
Ordering Code Suffix ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
מארז — PG-VSON-4-1 (Surface Mount)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר