IPD60R600P7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R600P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPL60R060CFD7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R600P7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD60R600P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ CFD7
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 6 A —
On-Resistance (RDS(on)) 490 mOhm (max) —
Power Dissipation (PD, TC) 30 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -40 °C to +150 °C
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Generation CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) —
Ordering Code Suffix ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
Paket — PG-VSON-4-1 (Surface Mount)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin