IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD80R1K4P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPN95R3K7P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | N-Channel Superjunction | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| تبديد القدرة (Ptot) | 32 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| العلبة | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |