IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN95R3K7P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | N-Channel Superjunction | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | 32 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |