IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD80R1K4P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R3K7P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | N-Channel Superjunction | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| पावर डिसिपेशन (Ptot) | 32 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |