IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | N-Channel Superjunction | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Güç Tüketimi (Ptot) | 32 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Paket | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |