IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N04S4L08ATMA1 بواسطة Infineon و IPG20N04S4L11ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 8.2mΩ OptiMOS-T2 | Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPG20N04S4L08ATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPG20N04S4L08ATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 20 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A | 8.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 54 W | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 | — |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) | 1 (260C peak reflow) |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Part Status | Active | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| حالة RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Technology | — | OptiMOS-T2 trench |