IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L08ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
İşletim Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket / Kas PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (260C peak reflow)
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Paket — PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Durumu — Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 trench

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin