IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N06S2L65AATMA1 بواسطة Infineon و IPG20N04S408ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS (trench MOSFET) |
| العلبة | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| مستوى MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | MSL1 (260 degC peak reflow) |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | — | 20 A at 25 degC case |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 7.6 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | — | 65 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 degC to +175 degC |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | 100 percent tested |
| Channel Count | — | 2 (independent) |
| Operating Mode | — | Enhancement mode, Normal Level |