IPL60R125P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R125P7AUMA1 بواسطة Infineon و IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R125P7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS P7 (600 V)
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 27 A —
On-State Resistance RDS(on) max 125 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) 36 nC —
Total Gate Charge Qg (typ) 36 nC —
Output Capacitance Coss (typ) [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ 3.5 V —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
العلبة ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Pin Configuration Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
عدد الأطراف — 3 (2 + Tab)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر