IPL60R125P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R125P7AUMA1 מאת Infineon ו IPB60R280P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPL60R125P7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS P7 (600 V)
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 27 A —
On-State Resistance RDS(on) max 125 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) 36 nC —
Total Gate Charge Qg (typ) 36 nC —
Output Capacitance Coss (typ) [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ 3.5 V —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C —
מארז ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) PG-TO263-3 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת רגישות ללחות (MSL) MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Pin Configuration Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
מספר פינים — 3 (2 + Tab)
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר