IPL60R125P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPL60R125P7AUMA1 bằng Infineon và IPB60R280P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon

IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon

IPL60R125P7AUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPL60R125P7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS P7 (600 V)
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 27 A —
On-State Resistance RDS(on) max 125 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) 36 nC —
Total Gate Charge Qg (typ) 36 nC —
Output Capacitance Coss (typ) [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ 3.5 V —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +150 C —
Hộp ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) PG-TO263-3 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Pin Configuration Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Số chân — 3 (2 + Tab)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá