IPL60R180P6AUMA1 vs IPL60R210P6AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R180P6AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R210P6AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R180P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) MOSFET (Superjunction / CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
العلبة PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPL60R210P6AUMA1
Series — CoolMOS™ P6
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 600 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 19.2 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 210 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 151 W
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel
Packing Quantity — [DATA_NEEDED: reel qty]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر