IPL60R180P6AUMA1 vs IPL60R210P6AUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL60R180P6AUMA1 توسط Infineon و IPL60R210P6AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL60R180P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) MOSFET (Superjunction / CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
بسته‌بندی PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPL60R210P6AUMA1
Series — CoolMOS™ P6
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 600 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 19.2 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 210 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 151 W
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel
Packing Quantity — [DATA_NEEDED: reel qty]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت