IPL60R180P6AUMA1 vs IPL60R210P6AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R180P6AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R210P6AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R180P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) MOSFET (Superjunction / CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Paket PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPL60R210P6AUMA1
Series — CoolMOS™ P6
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 600 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 19.2 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 210 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 151 W
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel
Packing Quantity — [DATA_NEEDED: reel qty]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin