IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPN80R4K5P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPN95R3K7P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPN80R4K5P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 1.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 6 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) | 4.5 ohm max | — |
| العلبة | PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Grade | Industrial | — |
| Application | Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Reel / Tape Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |