IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN80R4K5P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R3K7P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN80R4K5P7ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 950 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
पैकेज PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Super-junction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Series — CoolMOS P7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]

डेटाशीट और संसाधन

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