IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP045N10N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPP037N08N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPP045N10N3GXKSA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPP045N10N3GXKSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C | [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) | 137 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 3.5 V (typical, per LCSC listing) | — |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C | 214 W | — |
| العلبة | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) | -55°C to +175°C (junction) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| حالة RoHS | Compliant (per LCSC datasheet excerpt) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (Infineon G/GX part suffix) | — |
| مستوى MSL | N/A (through-hole package) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |