IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP045N10N3GXKSA1 מאת Infineon ו IPP037N08N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 - 80V 100A 3.7mΩ OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPP037N08N3GXKSA1 - 80V 100A 3.7mΩ OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPP037N08N3GXKSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPP045N10N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
מארז TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (Through Hole)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) -55°C to +175°C (junction)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
סטטוס RoHS Compliant (per LCSC datasheet excerpt) Compliant
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
רמת MSL N/A (through-hole package) —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.75 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 6 V, 10 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 214 W
מספר פינים — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר