IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPP045N10N3GXKSA1 bằng Infineon và IPP037N08N3GXKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP045N10N3GXKSA1 - 100V 4.5mΩ OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPP045N10N3GXKSA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPP037N08N3GXKSA1 - 80V 100A 3.7mΩ OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPP037N08N3GXKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPP045N10N3GXKSA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPP045N10N3GXKSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C | [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) | 137 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 3.5 V (typical, per LCSC listing) | — |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C | 214 W | — |
| Hộp | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) | -55°C to +175°C (junction) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per LCSC datasheet excerpt) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (Infineon G/GX part suffix) | — |
| Cấp MSL | N/A (through-hole package) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| Số chân | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |