IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP045N10N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP037N08N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP045N10N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
Paket TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (Through Hole)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) -55°C to +175°C (junction)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant (per LCSC datasheet excerpt) Compliant
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
MSL Seviyesi N/A (through-hole package) —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.75 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 6 V, 10 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 214 W
Pin Sayısı — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin