IPP100N12S305AKSA1 vs IPB027N10N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP100N12S305AKSA1 بواسطة Infineon و IPB027N10N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPP100N12S305AKSA1 IPB027N10N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
عدد الأطراف 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (TJ)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر