IPP100N12S305AKSA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP100N12S305AKSA1 tarafından Infineon ve IPB027N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP100N12S305AKSA1 IPB027N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (TJ)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin