IPP100N12S305AKSA2 vs IPP100N12S305AKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP100N12S305AKSA2 بواسطة Infineon و IPP100N12S305AKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (TJ) —
العلبة PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220 (PG-TO220-3-1)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) 3
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL N/A (Through Hole) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
تيار التصريف النبضي — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر