IPP100N12S305AKSA2 vs IPP100N12S305AKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP100N12S305AKSA2 توسط Infineon و IPP100N12S305AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (TJ) —
بسته‌بندی PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220 (PG-TO220-3-1)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL N/A (Through Hole) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت