IPP100N12S305AKSA2 vs IPP100N12S305AKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP100N12S305AKSA2 بذریعہ Infineon اور IPP100N12S305AKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ) —
پیکیج PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220 (PG-TO220-3-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) 3
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول N/A (Through Hole) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
پلسڈ ڈرین کرنٹ — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں