IPT015N10N5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT015N10N5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC072N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT015N10N5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
العلبة PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر