IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5SCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 - 60V 447A 0.7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) |
| عدد الأطراف | 9 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IQDH88N06LM5SCATMA1 |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 447 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.7 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 76 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 11 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 95 pF |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |