IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH88N06LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 278 W 333 W
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling)
پن کی تعداد 9 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IQDH88N06LM5SCATMA1
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 447 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.7 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11 nF
Output Capacitance (Coss) — 2 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 95 pF
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں