IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH35N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و BSZ065N03LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH35N03LM5CGATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (junction) |
| العلبة | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |