IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH35N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ065N03LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH35N03LM5CGATMA1 BSZ065N03LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55C to +150C (junction)
پیکیج PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 30V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 26 W
پیکیج / کیس — PG-TSDSON-8-FL (S308)
Configuration — Single N-Channel
Gate Drive (typical) — 4.5 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں