IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH35N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IRFH8318TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH35N03LM5CGATMA1 | IRFH8318TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFH8318TRPBF |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 41 nC |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 59 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Description | — | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters |