IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH35N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IRFH8318TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ فعال
Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH35N03LM5CGATMA1 IRFH8318TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں