IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH35N03LM5CGATMA1 द्वारा Infineon और IRFH8318TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH35N03LM5CGATMA1 | IRFH8318TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFH8318TRPBF |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 41 nC |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 59 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Description | — | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters |