IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH35N03LM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFH8318TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQDH35N03LM5CGATMA1 IRFH8318TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C —
প্যাকেজ PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট