IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271STRPBF بواسطة Infineon و IR21531STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271STRPBF IR21531STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
عدد المخارج 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
زمن السقوط [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
حالة RoHS — Compliant (ROHS3)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر