IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21271STRPBF מאת Infineon ו IR21531STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21271STRPBF IR21531STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
מספר יציאות 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
זמן עלייה [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
זמן ירידה [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
סטטוס RoHS — Compliant (ROHS3)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר