IR2127STRPBF vs IR21531STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2127STRPBF بواسطة Infineon و IR21531STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2127STRPBF IR21531STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
عدد المخارج 1 2 (high-side, low-side)
زمن الصعود 80 ns (typical) 80 ns
زمن السقوط 60 ns (typical) 45 ns
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm body) 8-pin SOIC (SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
حالة RoHS — Compliant (ROHS3)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر