IR2127STRPBF vs IR21531STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2127STRPBF द्वारा Infineon और IR21531STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IR2127STRPBF IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR21531STRPBF IR21531STRPBF - 600V Self-Oscillating Half-Bridge Driver | Infineon

IR21531STRPBF - 600V Self-Oscillating Half-Bridge Driver | Infineon

IR21531STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2127STRPBF IR21531STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
आउटपुट की संख्या 1 2 (high-side, low-side)
राइज़ टाइम 80 ns (typical) 80 ns
फॉल टाइम 60 ns (typical) 45 ns
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज 8-SOIC (3.90 mm body) 8-pin SOIC (SO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
RoHS स्थिति — Compliant (ROHS3)

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