IR2127STRPBF vs IR21531STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2127STRPBF מאת Infineon ו IR21531STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IR2127STRPBF IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2127STRPBF IR21531STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
מספר יציאות 1 2 (high-side, low-side)
זמן עלייה 80 ns (typical) 80 ns
זמן ירידה 60 ns (typical) 45 ns
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-SOIC (3.90 mm body) 8-pin SOIC (SO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
סטטוס RoHS — Compliant (ROHS3)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר