IRF1310NPBF vs IRF3710ZPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF1310NPBF بواسطة Infineon و IRF3710ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF1310NPBF | IRF3710ZPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 82 nC (typical) |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs value] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3 pins) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET | HEXFET (Advanced Process) |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant (PBF suffix) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 59 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 160 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 18 mOhm (typical) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Operating Temperature | — | 175 C |
| Gate Drive Voltage (Optimized) | — | 10 V |
| Pin Configuration | — | G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) |
| Qualification Standard | — | JEDEC, Normal Level |
| Lead-Free | — | Yes |