IRF150P220AKMA1 vs IRFB4110PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon و IRFB4110PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF150P220AKMA1 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRF150P220AKMA1 | — |
| Technology | StrongIRFET | HEXFET (planar DMOS) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 203 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 556 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-247-3 (PG-TO247-3) | TO-220AB (through-hole) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Terminal Finish | Tin (Sn) | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |