IRF150P220AKMA1 vs IRFB4110PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF150P220AKMA1 توسط Infineon و IRFB4110PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF150P220AKMA1 IRFB4110PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $1.55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRF150P220AKMA1 —
Technology StrongIRFET HEXFET (planar DMOS)
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-247-3 (PG-TO247-3) TO-220AB (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت