IRF4905PBF vs IRLU024NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF4905PBF بواسطة Infineon و IRLU024NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF4905PBF IRLU024NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type P-Channel N-Channel, Logic-Level
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 10 nC (typical, per listing)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (junction) —
العلبة TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA), Through Hole
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
مستوى MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر