IRF4905PBF vs IRLU024NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF4905PBF מאת Infineon ו IRLU024NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF4905PBF IRLU024NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type P-Channel N-Channel, Logic-Level
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 10 nC (typical, per listing)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction) —
מארז TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA), Through Hole
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
רמת MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר