IRF4905PBF vs IRLU024NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF4905PBF द्वारा Infineon और IRLU024NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF4905PBF IRF4905PBF - 55V P-Channel 74A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905PBF - 55V P-Channel 74A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLU024NPBF IRLU024NPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLU024NPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLU024NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF4905PBF IRLU024NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel N-Channel, Logic-Level
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 10 nC (typical, per listing)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C (junction) —
पैकेज TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA), Through Hole
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
MSL स्तर 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

डेटाशीट और संसाधन

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