IRF4905PBF vs IRLU024NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF4905PBF توسط Infineon و IRLU024NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF4905PBF IRLU024NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type P-Channel N-Channel, Logic-Level
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 10 nC (typical, per listing)
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (junction) —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA), Through Hole
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
سطح MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت