IRF7105PBF vs IRF7306TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7105PBF بواسطة Infineon و IRF7306TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7105PBF IRF7306TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7105PBF —
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
العلبة / الحالة 8-SOIC (SO-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C (junction)
العلبة — 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Packaging — Tape & Reel (TR)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر