IRF7105PBF vs IRF7306TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7105PBF بذریعہ Infineon اور IRF7306TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7105PBF IRF7306TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7105PBF —
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
پیکیج / کیس 8-SOIC (SO-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C (junction)
پیکیج — 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Packaging — Tape & Reel (TR)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں